Intel desde hace varios años planeo llegar al mercado de los smartphones, y su sueño se vio materializado con el lanzamiento de sus nuevos microprocesadores Atom Medfield (mono núcleo) fabricados con el proceso de manufactura de 32nm, y sus próximos Atom Clover Trail (doble núcleo). Pero estos 2 primeros chips son sólo el inicio de los planes de Intel por lanzarse a la conquista del mercado de los smartphones, y su mayor apuesta para ello serán los próximos SoC Atom a 22nm, los que prometen mejor rendimiento y menor consumo que Medfield.
Maria Marced, Presidenta de TSMC Europa, afirma que los SoC (System on Chip) ARM fabricados con su actual proceso de manufactura a 28nm continuarán manteniendo su superioridad en términos de rendimiento y consumo, ante los futuros SoC Atom fabricados a 22nm, pues Intel aparentemente olvida que no todo se trata de tecnología, sino también de arquitectura. El término 28nm o 22nm meramente es un descriptor del nodo, y no hace referencia a la longitud de la puerta lógica (gate-length); y que la calidad de un nodo no tiene relación con el número relacionado con ella (28nm, 22nm, 20nm, etc), sino con las características de los chips fabricados con él.
El proceso de manufactura a 28nm de TSMC está dando muy buenos resultados, y aunque se comenta que algunos fabricantes de chips de alto rendimiento como los GPUs de AMD y Nvidia, están teniendo problemas de bajo rendimiento (alto número de chips no completamente funcionales), la tasa de defectos es mucho menor que la que tuvieron con el proceso de 40nm en su tiempo. TSMC espera que su proceso de manufactura a 28nm represente el 10% de sus ingresos durante este año.
Aunque Intel apuesta todo por el proceso de manufactura a 22nm Tri-Gate o “no planar”, TSMC no ve necesario abandonar el desarrollo de transistores planares, y esperan que su próximo proceso de manufactura a 20nm ofrezca una densidad de 1.9X, un consumo 25% menor, y un 15 a 20% mejor rendimiento (mayor número de chips funcionales) que las de su actual proceso a 28nm. TSMC abandonará los transistores planares con la introducción de su futuro proceso de manufactura a 14nm.
