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Samsung comienza fabricación masiva de 32GB DDR4 SoDIMM a 10nm

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Siendo el primer módulo de esa magnitud en ser fabricado en masa, el nuevo SoDIMM DDR4 de 32GB duplica la capacidad y aumenta la velocidad a 2.666Mbps, con reducción en el consumo de energía de hasta un 39%, en comparación con los actuales DDR4.

Los nuevos SoDIMM que se basan en tecnología de fabricación de 10 nanómetros (nm), permitirán manejar juegos y programas de mayor magnitud, de forma más fluida y con un menor consumo energético.

Asi, los fabricantes de PC podrán construir computadoras portátiles más rápidas y con una mayor duración de la batería, siempre hablando de cifras discretas, ya que las memorias no son el componente que más consume en una configuración.

 Sewon Chun, vicepresidente senior de marketing de memoria en Samsung Electronics. «Continuaremos brindando las carteras DRAM más avanzadas, con velocidad y capacidad mejoradas para todos los segmentos clave del mercado, incluidas las computadoras portátiles y de escritorio premium».

Con un total de 16 de chips DRAM DDR4 de 16 gigabits (Gb) más nuevos de Samsung (ocho chips en la parte de adelante y ocho atras), los nuevos SoDIMM de 32 GB permite que las laptops alcancen velocidades de hasta 2,666 megabits por segundo (Mbps).

Comparado con el SoDIMM de 16GB de Samsung basado en el DDR4 de 8 gigabits (Gb) de 20nm, que se introdujo en 2014, el nuevo módulo duplica la capacidad, mientras que es un 11% más rápido y aproximadamente un 39% más eficiente.

Samsung ha comenzado a expandir agresivamente su oferta de la línea DRAM de 10nm más grande de la industria (16Gb LPDDR4, 16Gb GDDR5 y 16Gb DDR4), lo que marcará el comienzo de una nueva era de DRG de 16Gb en los segmentos de dispositivos móviles, gráficos, PC y servidores. Subsecuentemente en otros mercados tales como supercomputadoras y sistemas automotrices.

Siempre son buenas noticias ver nuevos modelos alcanzar nuevas capacidades, pero gran parte de los consumidores siguen preocupados por los elevados precios de las memorias.

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