Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció que ha desarrollado con éxito la primera DRAM LPDDR5 de 10 nanómetros (nm) * 8 gigabit (Gb) de la industria. Desde que trajo el primer LPDDR4 de 8Gb a producción en masa en 2014, Samsung ha estado preparando el escenario para la transición al estándar LPDDR5 para su uso en las próximas aplicaciones móviles con 5G e Inteligencia Artificial.
El LPDDR5 de 8Gb es la última incorporación a la gama de DRAM premium de Samsung, que incluye DRAM GDDR6 de 16 nm de clase 10nm (en producción en volumen desde diciembre de 2017) y DRAM DDR5 de 16Gb (desarrollado en febrero).
El 8Gb LPDDR5 cuenta con una velocidad de datos de hasta 6.400 megabits por segundo (Mb / s), que es 1.5 veces más rápido que los chips DRAM móviles utilizados en los dispositivos móviles actuales (LPDDR4X, 4266 Mb/s). Con la mayor velocidad de transferencia, el nuevo LPDDR5 puede enviar 51.2 gigabytes (GB) de datos, o aproximadamente 14 archivos de video full-HD (3.7GB cada uno), en un segundo.
La DRAM LPDDR5 de 10nm estará disponible en dos anchos de banda: 6.400 Mb / s con un voltaje operativo 1.1 (V) y 5.500 Mb / s a 1.05 V, lo que la convierte en la solución de memoria móvil más versátil para smartphones y sistemas automotrices de próxima generación . Este avance en el rendimiento ha sido posible a través de varias mejoras arquitectónicas. Al duplicar el número de «bancos» de memoria – subdivisiones dentro de una celda DRAM – de 8 a 16, la nueva memoria puede alcanzar una velocidad mucho mayor a la vez que reduce el consumo de energía. El 8Gb LPDDR5 también hace uso de una arquitectura de circuito altamente avanzada y optimizada que verifica y garantiza el rendimiento de velocidad ultra alta del chip.
Para maximizar el ahorro de energía, el LPDDR5 de 10nm ha sido diseñado para reducir su voltaje de acuerdo con la velocidad de operación del procesador de aplicación correspondiente, cuando está en modo activo. También se ha configurado para evitar sobrescribir celdas con valores ‘0’. Además, el nuevo chip ofrecerá un «modo de suspensión profunda», que reduce el consumo de energía a aproximadamente la mitad del «modo inactivo» de la DRAM LPDDR4X actual. Gracias a estas características de bajo consumo, la DRAM LPDDR5 de 8Gb ofrecerá reducciones de consumo de energía de hasta 30 por ciento, maximizando el rendimiento de los dispositivos móviles y extendiendo la vida de la batería de los teléfonos inteligentes.
Samsung, junto con los principales proveedores mundiales de chips, ha completado las pruebas funcionales y la validación de un prototipo de paquete DRAM, que está compuesto por ocho chips LPDDR5 de 8Gb. Aprovechando la infraestructura de fabricación de vanguardia en su última línea en Pyeongtaek, Corea, Samsung planea comenzar la producción masiva de sus alineaciones DRAM de próxima generación (LPDDR5, DDR5 y GDDR6) en línea con las demandas de los clientes globales.
Nota al pie *: la clase 10nm es un nodo de proceso entre 10 y 20 nanómetros.
