Intel ha anunciado que a contar del próximo año, implementará memorias 3D NAND en sus unidades SSD, con el objetivo de ofrecer unidades con mayor capacidad en el mismo espacio físico que las unidades actuales y de paso abaratar costos, proyectando unidade de hasta 10 TB para el 2016.
Los chips de memorias serán producidos por IMFT (Intel Micron Flash Technologies), la entidad manufacturera creada hace años atrás por Intel y Micron, que unieron fuerzas para la producción de memorias NAND Flash y poder competir con gigantes como Samsung y Toshiba.
Los chips que están actualmente en desarrollo por parte de IMFT, involucran chips de hasta 32 capas planas de 256 Gbit (32GB) de capacidad en un die (chip) usando memorias MLC de 2-bits por celda (2 bits/cell) y 348 Gbit (48GB) usando memorias TLC de 3-bits por celda (3 bits/cell). Esto permitirá crear unidades SSD de hasta 10 TB de aquí a dos años más según revelo Intel o incluso lograr hasta 1TB de capacidad en tan solo 2mm de espesor.
Quizás el anuncio de Intel llegue tarde muy tarde, ya que Samsung comenzó la producción en masa de sus memorias 3D vertical-NAND flash (V-Nand) en agosto de 2013 y ya tiene en el mercado unidades SSD que hacen uso este tipo de memorias, como por ejemplo sus unidades Samsung 850 Pro y Samsung 850 Evo.
Los chips de Samsung utilizan una configuración de 32 capas (layers) pero de 86 Gb (10.7 GB) por die utilizando memorias MLC y 128 Gb (16 GB) utilizando memorias TLC. Con esto Samsung puede ofrecer actualmente unidades SSD de 128GB, 256GB, 512GB y 1TB. Por contrapartida y como ya citamos en el tercer párrafo, Intel está desarrollando chips de 32 GB (3D MLC) y 48 GB (3D TLC), lo que le da ciertamente a Intel y Micron una ventaja sustancial en densidad, aunque claro a 2 años de distancia de Samsung.
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Fuente: Intel
