Los primeros detalles de las futuras memorias DDR4 se liberaron hace algunos años y no se espera que estén disponibles hasta dentro de algunos años. Pero desde el evento International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) Hynix y Samsung muestran prototipos de sus futuros módulos DDR4.
Hynix mostró unos módulos de memoria DDR4-2400, los cuales cuentan con chips de memoria fabricados con el proceso de manufactura de 38nm de Hynix, y que apenas requieren 1.2V para su correcto funcionamiento. Por su parte Samsung mostro unos módulos de memoria DDR4-2133, conformados por chips de memoria fabricados con el proceso de manufactura de 30nm de Samsung, los que funcionan con un voltaje de 1.2V.
Memorias DDR3-2133 actuales requieren voltajes de 1.65V para su correcto funcionamiento; Hynix y Samsung afirman que módulos de memoria DDR3 fabricados con el mismo proceso de manufactura descrito requerirían entre 1.3 a 1.5V, por lo que mencionan que los módulos DDR4 no sólo traerán mayores frecuencias de funcionamiento y mayores capacidades, sino también un menor consumo energético, el que se estima en 40% inferior al de las memorias DDR3.
Los módulos DDR4 iniciarán su producción en masa en algún momento del año 2013, por lo que se espera que los primeros equipos equipados con ellas estén disponibles durante el 2014; y requeriran de quizá nuevos microprocesadores y tarjetas madre, pues usarán un nuevo tipo de ranura con distinto número de pines que las de las actuales DDR3.
