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Samsung desarrolla un módulo DDR5 de 512 GB con chips HKMG DDR5

Samsung anunció que ha desarrollado el primer módulo de memoria de 512 GB de la industria utilizando sus últimos dispositivos de memoria DDR5 que emplean dieléctricos de alta k como aislantes.

El nuevo DIMM está diseñado para servidores de próxima generación que utilizan memoria DDR5, incluidos los que funcionan con procesadores Epyc ‘Genoa’ de AMD y Xeon Scalable ‘Sapphire Rapids’ de Intel.

El módulo de memoria DIMM (RDIMM) registrado DDR5 de 512 GB de Samsung utiliza 32 pilas de 16 GB basadas en ocho dispositivos DRAM de 16 Gb. Las pilas de 8-Hi se utilizan a través de silicio a través de interconexiones para garantizar baja potencia y señalización de calidad.

Samsung dijo que debido a los voltajes reducidos de DDR5, la capa aislante HKMG y otras mejoras, sus dispositivos DDR5 consumen un 13% menos de energía que sus predecesores, lo que será particularmente importante para el RDIMM de 512 GB destinado a servidores. Cuando se utiliza con procesadores de servidor con ocho canales de memoria y dos DIMM por canal, los nuevos módulos de memoria de 512 GB de Samsung le permiten equipar cada CPU con hasta 8 TB de memoria DDR5, frente a los 4 TB actuales.

Samsung ha comenzado a probar varios módulos DDR5 con varios socios de la comunidad de servidores. La compañía espera que sus DIMM de próxima generación sean validados y certificados por los servidores de tiempo que utilizan memoria DDR5 que llegan al mercado.

Alejandro Dau
Con gran experiencia en el ámbito tecnológico, Licenciado en Informática y amante de los deportes, ocupa la posición de Editor en jefe con una sola idea: brindar a los lectores las mejores noticias y reviews de habla hispana.

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