Micron Technology, que tienen un buen currículum cuando se trata de memorias, está hablando con la JEDEC, los tipos detrás de los estándares de todo tipo de memorias, para hacer que DDR4 tenga una nueva y jugosa característica: “Apilación en tres dimensiones”, o 3DS por su modificada sigla en inglés. No, no se refieren a la última consola de Nintendo.
Esto nos deja un poco a oscuras, porque generalmente entendemos mejor cuando nos muestran monitos o gráficas, pero este no es el caso – aunque esperamos que Micron lo haga tarde o temprano. Sólo tenemos una breve descripción de cómo va el asunto: hay un die “maestro” de DRAM que interactúa con la controladora de memoria externa, mientras que en otro die “esclavo” de DRAM no lo hace, y supuestamente es el que se lleva la mayor carga de trabajo. La tecnología de DRAM 3DS promete de todo: permitiría mejores timings, mejor frecuencia de bus, mejor integridad de señal, menor consumo, curar el cáncer, el sida, el sífilis, la cirrosis, e impedir el coma etílico. ¿Será que le pidieron prestado a Hybrid Memory Cube la tecnología de los pisos apilados encima? Por la sigla, parece que sí, pero sólo a menor escala.
Por mi parte todavía no logro entender a cabalidad cómo fuciona, pero Micron nos jura que, de salir como estándar, podríamos aprovechar mucho mejor el ancho de banda de las memorias y los tiempos muertos a la hora de leer y escribir en ellas, operaciones que se suman en millones por segundo en una computadora convencional. Aunque para eso falta mucho, y quizás HMC pruebe ser superior después de todo, DDR4 se perfilaría como el paso anterior a la tecnología que lograron junto a Samsung y que producirá orgullosamente IBM.
Dejo un video de Micron para el entendido en la materia.
3DS: Stacking the Deck for Better DRAM Performance
Fuente: X-bit Labs
